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- 腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）位错的形成原因是（）。离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）人们规定：（）电压为安全电
- 属于绝缘体的正确答案是（）。下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为（）曝光。按蒸发源加热方法的不
- 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）刻制图形#
绘制图形
制作图形
- 从离子源引出的是：（）Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、离子束#碱性#
酸性
中性预
再
选择#
- 腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.A、盐酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氢氟酸#碱性#
酸性
中性
- 说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.按蒸发源加热方法的不同,真空蒸发
- 说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）单相3线插座接线有严格规定（）人们规定：（）电压为安全电压.A、逻辑设计#
B、物理设
- 下列材料属于N型半导体是（）。腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）硅外延生长工艺包括（）。单相3线插座接线有严格规定（）硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）#
硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）
砷化镓掺有元素杂质硅
- 从离子源引出的是：（）恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一
- 位错的形成原因是（）。硅外延生长工艺包括（）。人们规定：（）电压为安全电压.位错就是由弹性形变造成的
位错就是由重力造成的
位错就是由范性形变造成的#
以上答案都不对衬底制备#
原位HCl腐蚀#
生长温度,生长压
- 属于绝缘体的正确答案是（）。说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：硅外延生长工艺包括（）。从离子源引出的是：（）金属、石墨、人体、大地
橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷#
硅、锗、
- 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。能量
剂量#
- 二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。预
再
选择#
- 介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）多晶硅
氮化
- 属于绝缘体的正确答案是（）。金属、石墨、人体、大地
橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷#
硅、锗、砷化镓、磷化铟
各种酸、碱、盐的水溶液
- 腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）人们规定：（）电压
- 说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：单相3线插座接线有严格规定（）A、逻辑设计#
B、物理设计
C、电路设计
D、系统设计“左零”“右火”#
“左火”“右零”
- 说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：位错的形成原因是（）。在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长？（）介质隔离是以绝缘性能良好
- 硅外延生长工艺包括（）。衬底制备#
原位HCl腐蚀#
生长温度,生长压力,生长速度#
尾气的处理#
- 介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）多晶硅
氮化
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