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- 腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）单相3线插座接线有严格规定（）A、盐酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氢氟酸#“左零”“右火”#
“左火”“右零”
- 硅外延片的应用包括（）。二极管和三极管#
电力电子器件#
大规模集成电路#
超大规模集成电路#
- 腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）从离子源引出的是：（）将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为（）曝光。A、盐酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氢氟酸#A、原子束
B、分
- 单相3线插座接线有严格规定（）“左零”“右火”#
“左火”“右零”
- 二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。预
再
选择#
- 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）A、高斯函数
B、余误差函数#
C、指数函数
D、线性函数
- Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.碱性#
酸性
中性
- 下列材料属于N型半导体是（）。硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）#
硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）
砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）#
砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
- 位错的形成原因是（）。位错就是由弹性形变造成的
位错就是由重力造成的
位错就是由范性形变造成的#
以上答案都不对
- 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）刻制图形#
绘制图形
制作图形
- 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）按蒸发源加热方法的不同,真空蒸发工艺可分为：（）蒸发、（）蒸发、离子束蒸发等。刻制图形#
绘制图形
制作图形电阻加热#
电子束#
蒸气
- 硅外延生长工艺包括（）。衬底制备#
原位HCl腐蚀#
生长温度,生长压力,生长速度#
尾气的处理#
- 腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长？（）A、盐酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氢氟酸#A、干氧#
B、湿氧
C、水汽氧化
D、不能确定哪个
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