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- 在光电转换过程中,Si比GaAs量子效率低,因为其（）。一般情况下,电力系统的自然功率因数（）。禁带较窄
禁带较宽
禁带是间接跃迁型
禁带是直接跃迁型#A、滞后且小于1#
B、超前且小于1
C、等于1
D、等于零
- 若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高,则该材料是（）。本征半导体
金属
化合物半导体
掺杂半导体#
- 在太空的空间实验室里生长的GaAS具有很高的载流子迁移率,是因为这样的材料（）。无杂质污染
受宇宙射线辐射
化学配比合理
晶体完整性好#
- 重空穴指的是（）。质量较大的原子形成的半导体产生的空穴
价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴#
自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
- 半导体的载流子扩散系数大小决定于其（）。复合机构
能带结构
晶体结构
散射机构#
- 若某半导体导带中电子出现几率为零,则此半导体必定（）。下列与硼氧复合体缺陷无关的是（）。一下哪一种属于金刚石结构（）.II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。处于绝对零度#
不含任何杂质
不含任何缺陷
不含施主A、
- Si中掺金的工艺主要用于制造（）器件。电子在晶体中的共有化运动是指（）。高可靠性
高频#
大功率
高电压电子在晶体中各处出现的几率相同
电子在晶体原胞中各点出现的几率相同
电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同
- II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。功率三角形中,功率因数角所对的边是（）。点阵中的金属原子间隙
一种在禁带中引入施主的点缺陷
点阵中的点阵中的金属原子空位#
一种在禁带中引入受主的位错A、视在功率
B、瞬时功率
- 电子在晶体中的共有化运动是指（）。电子在晶体中各处出现的几率相同
电子在晶体原胞中各点出现的几率相同
电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同#
电子在晶体各原胞对应点的相位相同
- 对称三相交流电路无功功率的表达式sin3UIQ中的电压和电流是（）。参杂硼元素的半导体是（）.A、线电压和线电流#
B、线电压和相电流
C、相电压和线电流
D、相电压和相电流p型半导体#
本征半导体
N型半导体
pn结
- 最小电导率出现在（）型半导体。下列属于单晶硅片的一般形状（）.半导体的载流子扩散系数大小决定于其（）。n
p#
本征方形#
三角形
椭圆形
梯形复合机构
能带结构
晶体结构
散射机构#
- 一般情况下,电力系统的自然功率因数（）。电流所产生磁场的方向按（）确定。A、滞后且小于1#
B、超前且小于1
C、等于1
D、等于零A、欧姆定律
B、右手螺旋定则#
C、基尔霍夫定律
D、楞次定律
- 功率三角形中,功率因数角所对的边是（）。悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间（）左右。下列不属于工业吸附要求的是（）。一般情况下,电力系统的自然功
- 在纯电感交流电路中,电压保持不变,提高电源频率,电路中的电流将会（）。A、明显增大
B、略有增大
C、不变
D、减小#
- 电阻与电感串联的交流电路中,当电阻与感抗相等时,则电压与电流的相位关系是（）。电子在晶体中的共有化运动是指（）。A、电压超前π/2
B、电压超前π/3
C、电压超前π/4#
D、电压滞后π/4电子在晶体中各处出现的几率相同
- 电容量的单位符号是（）。A、C
B、F#
C、S
D、T
- 正弦交流电路中,一般电压表的指示值是（）。用冷热探笔法测量（）半导体时,冷端带正电,热端带负电。A、最大值
B、瞬时值
C、平均值
D、有效值#P型#
N
PN型
以上皆不是
- 纯电感电路中的电流与电压的相位关系是（）。下列细胞器中,能分拣大分子的是（）A、电压超前π/2#
B、电压滞后π/2
C、同相
D、反相A、内体
B、光面内质网
C、高尔基器#
D、粗面内质网
- 直导体切割电动势的方向可由右手螺旋定则确定。直导体切割磁力线产生感应电动势的方向可由（）确定。正确#
错误A、右手定则#
B、右手螺旋定则
C、左手定则
D、欧姆定律
- 法拉第电磁感应定律表明,线圈内感应电动势的大小与磁通的大小成正比。（）是影响硅器件成品率的一个重要因素,也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。直拉单晶中氧含量头部和尾部相比（）。正确#
错误点缺陷
- 法拉第电磁感应定律表明,线圈内磁通变化的速率越大则感应电动势越小。正确#
错误
- 电感线圈产生的感应电动势在数值上与线圈中流过的电流的变化率成正比。正确#
错误
- 一般情况下,空气隙的磁阻比铁芯的磁阻大得多。硅的晶格结构和能带结构分别是（）.电流所产生磁场的方向按（）确定。正确#
错误金刚石型和直接禁带型
闪锌矿型和直接禁带型
金刚石型和间接禁带型#
闪锌矿型和间接禁带
- 载流导体在磁场中所受到磁场力的方向由（）确定。列多晶硅生长过程中需要通入氩气做保护气的是（）.A、右手定则
B、右手螺旋定则
C、左手定则#
D、欧姆定律加热
化料#
晶体生长
冷却
- 直导体切割磁力线产生感应电动势的方向可由（）确定。悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间（）左右。A、右手定则#
B、右手螺旋定则
C、左手定则
D、欧姆
- 电流所产生磁场的方向按（）确定。若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高,则该材料是（）。A、欧姆定律
B、右手螺旋定则#
C、基尔霍夫定律
D、楞次定律本征半导体
金属
化合物半导体
掺杂半导体#
- 电场强度的单位符号是（）。参杂硼元素的半导体是（）.A、V/m#
B、V
C、W
D、VAp型半导体#
本征半导体
N型半导体
pn结
- 直流电流是大小和方向都不随时间变化的电流。正确#
错误
- 铝导线和铜导线的电阻都随温度的升高而升高。正确#
错误
- 当晶体生长的较快,内坩埚中杂质量变少,晶体的电阻率（）.Si中掺金的工艺主要用于制造（）器件。上升#
下降
不变
不确定高可靠性
高频#
大功率
高电压
- 正常凝固是最宽熔区的区域提纯,在进行第一次熔化过后,能不能进入第二次提纯这个阶段（）.硅的晶格结构和能带结构分别是（）.A、能#
B、不能
C、不确定
D、有时可以,有时不可以金刚石型和直接禁带型
闪锌矿型和直接禁
- 测量硅中氧浓度常用的方法是（）.最小电导率出现在（）型半导体。带电粒子活化法
熔化分析法
离子质谱法
红外光谱分析法#n
p#
本征
- 制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是（）.汽-固#
液-固
固-固
汽-液
- 下列铸造多晶硅的制备方法中,（）没有坩埚的消耗,降低了成本,同时又可减少杂质污染长度。对称三相交流电路无功功率的表达式sin3UIQ中的电压和电流是（）。布里曼法
热交换法
电磁铸锭法#
浇铸法A、线电压和线电流#
- 列多晶硅生长过程中需要通入氩气做保护气的是（）.通过（）改变驱动力场,借以控制生长系统中的成核率,这是晶体生长工艺中经常使用的方法。加热
化料#
晶体生长
冷却A、温度场#
B、磁场
C、重力场
D、电场
- 在晶体凝固过程中,存在温度梯度的是（）.上部和边缘部分
中部和边缘部分#
上部和底部
底部和边缘部分
- 硅元素的原子序数是（）.13
14#
15
16
- 一下哪一种属于金刚石结构（）.Si#
Cu
Fe
Al
- 半导体工业所用的硅单晶（）是用CZ法生长的。光图定向法结果直观,操作（）,误差（）。70%
80%
90%#
60%A．简单较大#
B．复杂较大
C．简单较小
D．复杂较小
- 下列属于单晶硅片的一般形状（）.一下哪一种属于金刚石结构（）.方形#
三角形
椭圆形
梯形Si#
Cu
Fe
Al
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