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- 目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法,一般可分为两大类,（）,稳态法（间接法）。失效表明离子交换树脂可供交换的（）大为减少。瞬态法(直接法)Cｌ¯
NA
H﹢和OH¯#
CA
- 四探针法测试,C的大小取决于四探针的（）和针距。正常凝固是最宽熔区的区域提纯,在进行第一次熔化过后,能不能进入第二次提纯这个阶段（）.若某半导体导带中电子出现几率为零,则此半导体必定（）。排列方式A、能#
B、
- 非平衡载流子的寿命ζ,就是反映（）的参数。复合强弱
- （）是半导体单晶重要电学参数之一,它反映了补偿后的杂质浓度,与半导体中的载流子浓度有直接关系。电子在晶体中的共有化运动是指（）。II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。电阻率电子在晶体中各处出现的几率相同
电子
- 目前国内外导电类型测量有两种（）,整流效应法。电容量的单位符号是（）。温差电动势法A、C
B、F#
C、S
D、T
- 氧和碳在硅晶体中都呈（）分布。列多晶硅生长过程中需要通入氩气做保护气的是（）.螺旋纹状加热
化料#
晶体生长
冷却
- 自然界存在的水（江水,河水,湖水）称为（）。纯电感电路中的电流与电压的相位关系是（）。天然水A、电压超前π/2#
B、电压滞后π/2
C、同相
D、反相
- 一般X射线大致具有的性质（）,荧光作用,电离作用,穿透能力强,X射线的折射率近似等于1,衍射作用。悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间（）左右。制备单晶
- 下列细胞器中,能分拣大分子的是（）A、内体
B、光面内质网
C、高尔基器#
D、粗面内质网
- 硅的晶格结构和能带结构分别是（）.载流导体在磁场中所受到磁场力的方向由（）确定。金刚石型和直接禁带型
闪锌矿型和直接禁带型
金刚石型和间接禁带型#
闪锌矿型和间接禁带型A、右手定则
B、右手螺旋定则
C、左手定
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