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- X射线定向法的误差可以控制在范围内,准确度高。（）电子在晶体中的共有化运动是指（）。±10＇
±15＇#
±20＇
±30＇电子在晶体中各处出现的几率相同
电子在晶体原胞中各点出现的几率相同
电子在晶体各原胞对应点出现的
- 载流导体在磁场中所受到磁场力的方向由（）确定。功率三角形中,功率因数角所对的边是（）。A、右手定则
B、右手螺旋定则
C、左手定则#
D、欧姆定律A、视在功率
B、瞬时功率
C、有功功率
D、无功功率#
- 下列细胞器中,能分拣大分子的是（）通过（）改变驱动力场,借以控制生长系统中的成核率,这是晶体生长工艺中经常使用的方法。A、内体
B、光面内质网
C、高尔基器#
D、粗面内质网A、温度场#
B、磁场
C、重力场
D、电场
- 固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中,在（）摄氏度以上进行常规热处理。A、300
B、400#
C、500
D、600
- 若某半导体导带中电子出现几率为零,则此半导体必定（）。处于绝对零度#
不含任何杂质
不含任何缺陷
不含施主
- 一下哪一种属于金刚石结构（）.功率三角形中,功率因数角所对的边是（）。若某半导体导带中电子出现几率为零,则此半导体必定（）。Si#
Cu
Fe
AlA、视在功率
B、瞬时功率
C、有功功率
D、无功功率#处于绝对零度#
不含
- 载流导体在磁场中所受到磁场力的方向由（）确定。A、右手定则
B、右手螺旋定则
C、左手定则#
D、欧姆定律
- 下列细胞器中,能分拣大分子的是（）A、内体
B、光面内质网
C、高尔基器#
D、粗面内质网
- 在光电转换过程中,Si比GaAs量子效率低,因为其（）。禁带较窄
禁带较宽
禁带是间接跃迁型
禁带是直接跃迁型#
- 电阻与电感串联的交流电路中,当电阻与感抗相等时,则电压与电流的相位关系是（）。在光电转换过程中,Si比GaAs量子效率低,因为其（）。A、电压超前π/2
B、电压超前π/3
C、电压超前π/4#
D、电压滞后π/4禁带较窄
禁带较
- 下列细胞器中,能分拣大分子的是（）如果半导体中存在多种杂质,在通常情况下,可以认为基本上属于杂质饱和电离范围,其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.A、内体
B、光面内质网
C、高尔基器#
D、粗面内质网1/（N
- 电流所产生磁场的方向按（）确定。A、欧姆定律
B、右手螺旋定则#
C、基尔霍夫定律
D、楞次定律
- 当晶体生长的较快,内坩埚中杂质量变少,晶体的电阻率（）.在太空的空间实验室里生长的GaAS具有很高的载流子迁移率,是因为这样的材料（）。上升#
下降
不变
不确定无杂质污染
受宇宙射线辐射
化学配比合理
晶体完整性
- 对称三相交流电路无功功率的表达式sin3UIQ中的电压和电流是（）。A、线电压和线电流#
B、线电压和相电流
C、相电压和线电流
D、相电压和相电流
- 在光电转换过程中,Si比GaAs量子效率低,因为其（）。禁带较窄
禁带较宽
禁带是间接跃迁型
禁带是直接跃迁型#
- 下列与硼氧复合体缺陷无关的是（）。下列属于单晶硅片的一般形状（）.正常凝固是最宽熔区的区域提纯,在进行第一次熔化过后,能不能进入第二次提纯这个阶段（）.电容量的单位符号是（）。A、氧
B、硼
C、温度
D、湿度#
- 下列不属于工业吸附要求的是（）。参杂硼元素的半导体是（）.其中不属于多晶硅的生产方法的是（）.下列属于单晶硅片的一般形状（）.Si中掺金的工艺主要用于制造（）器件。半导体的载流子扩散系数大小决定于其（）。
- 硅的晶格结构和能带结构分别是（）.载流导体在磁场中所受到磁场力的方向由（）确定。金刚石型和直接禁带型
闪锌矿型和直接禁带型
金刚石型和间接禁带型#
闪锌矿型和间接禁带型A、右手定则
B、右手螺旋定则
C、左手定
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