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- 在晶体凝固过程中,存在温度梯度的是（）.列多晶硅生长过程中需要通入氩气做保护气的是（）.上部和边缘部分
中部和边缘部分#
上部和底部
底部和边缘部分加热
化料#
晶体生长
冷却
- 下列与硼氧复合体缺陷无关的是（）。A、氧
B、硼
C、温度
D、湿度#
- II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。点阵中的金属原子间隙
一种在禁带中引入施主的点缺陷
点阵中的点阵中的金属原子空位#
一种在禁带中引入受主的位错
- 若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高,则该材料是（）。本征半导体
金属
化合物半导体
掺杂半导体#
- 正弦交流电路中,一般电压表的指示值是（）。A、最大值
B、瞬时值
C、平均值
D、有效值#
- 下列铸造多晶硅的制备方法中,（）没有坩埚的消耗,降低了成本,同时又可减少杂质污染长度。布里曼法
热交换法
电磁铸锭法#
浇铸法
- 载流导体在磁场中所受到磁场力的方向由（）确定。A、右手定则
B、右手螺旋定则
C、左手定则#
D、欧姆定律
- 对称三相交流电路无功功率的表达式sin3UIQ中的电压和电流是（）。A、线电压和线电流#
B、线电压和相电流
C、相电压和线电流
D、相电压和相电流
- 下列不属于三氯氢硅性质的是（）。A、无色透明
B、易燃易爆
C、不易挥发和水解#
D、有刺激性气味
- 下列属于单晶硅片的一般形状（）.方形#
三角形
椭圆形
梯形
- 下列不属于非晶硅优点的是（）.制备方法简单
工艺成本低
制备温度高#
可大面积制备
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