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- 光图定向法结果直观,操作（）,误差（）。下列不属于三氯氢硅性质的是（）。A．简单较大#
B．复杂较大
C．简单较小
D．复杂较小A、无色透明
B、易燃易爆
C、不易挥发和水解#
D、有刺激性气味
- 在晶体凝固过程中,存在温度梯度的是（）.列多晶硅生长过程中需要通入氩气做保护气的是（）.上部和边缘部分
中部和边缘部分#
上部和底部
底部和边缘部分加热
化料#
晶体生长
冷却
- X射线定向法的误差可以控制在范围内,准确度高。（）电子在晶体中的共有化运动是指（）。±10＇
±15＇#
±20＇
±30＇电子在晶体中各处出现的几率相同
电子在晶体原胞中各点出现的几率相同
电子在晶体各原胞对应点出现的
- 当晶体生长的较快,内坩埚中杂质量变少,晶体的电阻率（）.在太空的空间实验室里生长的GaAS具有很高的载流子迁移率,是因为这样的材料（）。上升#
下降
不变
不确定无杂质污染
受宇宙射线辐射
化学配比合理
晶体完整性
- 下列与硼氧复合体缺陷无关的是（）。A、氧
B、硼
C、温度
D、湿度#
- 半导体工业所用的硅单晶（）是用CZ法生长的。70%
80%
90%#
60%
- 载流导体在磁场中所受到磁场力的方向由（）确定。功率三角形中,功率因数角所对的边是（）。A、右手定则
B、右手螺旋定则
C、左手定则#
D、欧姆定律A、视在功率
B、瞬时功率
C、有功功率
D、无功功率#
- 如果半导体中存在多种杂质,在通常情况下,可以认为基本上属于杂质饱和电离范围,其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.1/（NA-ND.eｕp#
1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.e
1/（NA+ND.eｕp
- 最小电导率出现在（）型半导体。n
p#
本征
- 下列细胞器中,能分拣大分子的是（）通过（）改变驱动力场,借以控制生长系统中的成核率,这是晶体生长工艺中经常使用的方法。A、内体
B、光面内质网
C、高尔基器#
D、粗面内质网A、温度场#
B、磁场
C、重力场
D、电场
- 失效表明离子交换树脂可供交换的（）大为减少。Cｌ¯
NA
H﹢和OH¯#
CA
- 固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中,在（）摄氏度以上进行常规热处理。A、300
B、400#
C、500
D、600
- 其中不属于多晶硅的生产方法的是（）.SiCl4法
硅烷法
直拉法#
西门子改良法
- 若某半导体导带中电子出现几率为零,则此半导体必定（）。处于绝对零度#
不含任何杂质
不含任何缺陷
不含施主
- II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。点阵中的金属原子间隙
一种在禁带中引入施主的点缺陷
点阵中的点阵中的金属原子空位#
一种在禁带中引入受主的位错
- 一下哪一种属于金刚石结构（）.功率三角形中,功率因数角所对的边是（）。若某半导体导带中电子出现几率为零,则此半导体必定（）。Si#
Cu
Fe
AlA、视在功率
B、瞬时功率
C、有功功率
D、无功功率#处于绝对零度#
不含
- 电子在晶体中的共有化运动是指（）。电子在晶体中各处出现的几率相同
电子在晶体原胞中各点出现的几率相同
电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同#
电子在晶体各原胞对应点的相位相同
- 若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高,则该材料是（）。本征半导体
金属
化合物半导体
掺杂半导体#
- 功率三角形中,功率因数角所对的边是（）。A、视在功率
B、瞬时功率
C、有功功率
D、无功功率#
- 载流导体在磁场中所受到磁场力的方向由（）确定。A、右手定则
B、右手螺旋定则
C、左手定则#
D、欧姆定律
- 在光电转换过程中,Si比GaAs量子效率低,因为其（）。一般情况下,电力系统的自然功率因数（）。禁带较窄
禁带较宽
禁带是间接跃迁型
禁带是直接跃迁型#A、滞后且小于1#
B、超前且小于1
C、等于1
D、等于零
- 若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高,则该材料是（）。本征半导体
金属
化合物半导体
掺杂半导体#
- 在太空的空间实验室里生长的GaAS具有很高的载流子迁移率,是因为这样的材料（）。无杂质污染
受宇宙射线辐射
化学配比合理
晶体完整性好#
- 重空穴指的是（）。质量较大的原子形成的半导体产生的空穴
价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴#
自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
- 半导体的载流子扩散系数大小决定于其（）。复合机构
能带结构
晶体结构
散射机构#
- 若某半导体导带中电子出现几率为零,则此半导体必定（）。下列与硼氧复合体缺陷无关的是（）。一下哪一种属于金刚石结构（）.II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。处于绝对零度#
不含任何杂质
不含任何缺陷
不含施主A、
- Si中掺金的工艺主要用于制造（）器件。电子在晶体中的共有化运动是指（）。高可靠性
高频#
大功率
高电压电子在晶体中各处出现的几率相同
电子在晶体原胞中各点出现的几率相同
电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同
- II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。功率三角形中,功率因数角所对的边是（）。点阵中的金属原子间隙
一种在禁带中引入施主的点缺陷
点阵中的点阵中的金属原子空位#
一种在禁带中引入受主的位错A、视在功率
B、瞬时功率
- 电子在晶体中的共有化运动是指（）。电子在晶体中各处出现的几率相同
电子在晶体原胞中各点出现的几率相同
电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同#
电子在晶体各原胞对应点的相位相同
- 正弦交流电路中,一般电压表的指示值是（）。A、最大值
B、瞬时值
C、平均值
D、有效值#
- 对称三相交流电路无功功率的表达式sin3UIQ中的电压和电流是（）。参杂硼元素的半导体是（）.A、线电压和线电流#
B、线电压和相电流
C、相电压和线电流
D、相电压和相电流p型半导体#
本征半导体
N型半导体
pn结
- 电容量的单位符号是（）。A、C
B、F#
C、S
D、T
- 下列细胞器中,能分拣大分子的是（）A、内体
B、光面内质网
C、高尔基器#
D、粗面内质网
- 最小电导率出现在（）型半导体。下列属于单晶硅片的一般形状（）.半导体的载流子扩散系数大小决定于其（）。n
p#
本征方形#
三角形
椭圆形
梯形复合机构
能带结构
晶体结构
散射机构#
- 一般情况下,电力系统的自然功率因数（）。电流所产生磁场的方向按（）确定。A、滞后且小于1#
B、超前且小于1
C、等于1
D、等于零A、欧姆定律
B、右手螺旋定则#
C、基尔霍夫定律
D、楞次定律
- 功率三角形中,功率因数角所对的边是（）。悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间（）左右。下列不属于工业吸附要求的是（）。一般情况下,电力系统的自然功
- 载流导体在磁场中所受到磁场力的方向由（）确定。A、右手定则
B、右手螺旋定则
C、左手定则#
D、欧姆定律
- 下列铸造多晶硅的制备方法中,（）没有坩埚的消耗,降低了成本,同时又可减少杂质污染长度。布里曼法
热交换法
电磁铸锭法#
浇铸法
- 在光电转换过程中,Si比GaAs量子效率低,因为其（）。禁带较窄
禁带较宽
禁带是间接跃迁型
禁带是直接跃迁型#
- 在纯电感交流电路中,电压保持不变,提高电源频率,电路中的电流将会（）。A、明显增大
B、略有增大
C、不变
D、减小#
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